【 청년일보 】 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장이 현존 고대역폭메모리(HBM) 최대 용량인 48GB(기가바이트)가 구현된 16단 HBM3E 개발을 처음으로 공식화했다.

곽 사장은 4일 오전 서울 삼성동 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋(Summit) 2024'에서 '차세대 AI 메모리의 새로운 여정, 하드웨어를 넘어 일상으로'를 주제로 한 기조 연설에 나서 이같이 밝혔다.

곽 사장은 "현재 세계 최초로 개발, 양산하고 있는 '월드 퍼스트(World First)' 제품을 다양하게 준비 중"이라면서 "당사는 기술 안정성을 확보하고자 48GB 16단 HBM3E를 개발 중이며, 내년 초 고객에게 샘플을 제공할 예정"이라고 말했다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품으로 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발됐다. 기존 12단 HBM3E의 용량은 3GB D램 단품 칩 12개를 적층한 36GB였다.

곽 사장은 "16단 HBM3E를 생산하기 위해 당사는 12단 제품에서 양산 경쟁력이 입증된 어드밴스드 MR-MUF 공정을 활용할 계획이며, 백업 공정으로써 하이브리드 본딩 기술도 함께 개발하고 있다"고 언급했다.

MR-MUF(Mass Reflow-Molded Under Fill)는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정이다.

칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가가 나온다.

16단 HBM3E는 내부 분석 결과 12단 제품 대비 학습 분야에서 18%, 추론 분야에서는 32% 성능이 향상됐다. 향후 추론을 위한 AI 가속기 시장이 커질 것으로 예상되는 가운데, 16단 HBM3E는 향후 당사의 AI 메모리 No.1 위상을 더욱 공고히 해줄 것으로 기대된다고 곽 사장은 밝혔다.

곽 사장은 "더 나아가 SK하이닉스는 HBM4부터 베이스 다이(Base Die)에 로직 공정을 도입할 예정"이라면서 "글로벌 1위 파운드리 협력사와의 원팀 파트너십을 기반으로 고객에게 최고의 경쟁력을 갖춘 제품을 제공하겠다"고 말했다.

베이스 다이(Base Die)는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행하는 다이다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(CoreDie)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어진다.

곽 사장은 "메모리 병목 현상을 극복하기 위해 메모리에 연산 기능을 더하는 기술을 개발하고 있다"면서 "PIM(Processing in Memory), 컴퓨테이셔널 스토리지(Computational Storage) 같은 기술은 초거대 데이터를 다루게 될 미래의 필수 기술로, 차세대 AI 시스템의 구조를 바꾸는 큰 도전이자 AI 업계의 미래가 될 것"이라고 밝혔다.

끝으로 "'World First, Beyond Best, Optimal Innovation' 세 방향성을 미래 발전의 가이드라인으로 삼고 고객과 파트너, 이해관계자들과의 긴밀한 다중 협력을 통해 '풀스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)'를 목표로 지속 성장하도록 노력하겠다"고 덧붙였다.
 

【 청년일보=이창현 기자 】