【 청년일보 】 SK하이닉스는 김춘환 부사장(R&D공정 담당)이 지난달 27일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 '2024 산업기술 R&D 종합대전'에서 산업기술진흥(기술개발 부문) 유공자로 선정돼 은탑산업훈장을 받았다고 2일 밝혔다.

R&D대전은 국내 연구·개발(R&D) 성과를 알리고, 산·학·연 협력을 촉진하고자 산업통상자원부가 주관하는 연례행사다. 이 자리에서는 기술 진흥 및 신기술 실용화에 공이 큰 기술인을 포상하는 '산업기술진흥 유공 및 대한민국 기술대상' 시상식이 진행된다.

산업훈장은 산업기술진흥 유공의 최고상격으로, 김 부사장은 이 부문에서 은탑산업훈장 수상의 영예를 안았다. D램과 낸드 플래시를 아우르며 국내 반도체 기술력 향상에 기여한 공을 인정받은 것이다.

1992년 SK하이닉스에 입사한 김춘환 부사장은 32년간 메모리 반도체 연구에 매진하며 첨단기술 개발을 이끌었다. 특히 고대역폭메모리(HBM)의 핵심인 TSV 요소기술을 개발하는 데 크게 기여했는데, 개발 선행 단계부터 참여해 15년간 연구를 이어오며, HBM 공정의 기틀을 마련한 것으로 평가받는다.

김 부사장은 SK하이닉스 뉴스룸 인터뷰를 통해 TSV 개발 초기인 2008년을 회상하며 "개발 초기에는 고도의 정밀성과 미세한 제어가 요구되다 보니 난도가 정말 높았는데, 특히 금속층 증착과 회로 패턴 형성 과정에서 어려움이 상당히 컸다"고 말했다.

김 부사장을 비롯한 개발진은 이같은 문제를 풀어내고자 유관 부서들과 머리를 맞대고 해결책을 모색했다.

치열한 협업 끝에 R&D 요소기술을 개발하고 제조·기술의 양산 품질을 고도화하며 패키징으로 이어지는 개발 모델을 완성했고, 이를 바탕으로 HBM 시장이 열리는 시점에 맞춰 제품을 내놓을 수 있었다.

김 부사장은 TSV에만 국한하지 않고 10나노급 5세대(1b) D램 미세 공정에 극자외선(EUV) 장비를 도입해 업계 최고 수준의 생산성과 원가 경쟁력을 확보했고, 이를 6세대(1c) D램에도 확대 적용했다. 차세대 공정인 HKMG(High-K Metal Gate) 기술을 D램에 적용해 메모리 성능·효율을 높이는 등 선단기술에서 눈에 띄는 성과도 냈다.

김 부사장은 이러한 성공 스토리를 만들어 내기까지 '도전 정신'과 '원팀'의 중요성이 컸다고 강조했다.

그러면서 인공지능(AI)이라는 큰 변화에 맞서 나가기 위해 구성원들이 가져야 할 마음가짐을 언급했다.

김 부사장은 "신규 요소기술 정의부터 기술 개발 착수, 안정적 제품 양산까지 전 과정에서 조직이 하나돼야만 목표를 달성할 수 있다"면서 "요소기술을 적기에 개발하려면 실패를 두려워하지 말고 지속해서 도전하고 시도해야 하며, 많은 변화가 있겠지만, 멈추지 않고 성장을 추구하자"고 밝혔다.

【 청년일보=이창현 기자 】