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"반도체 핵심 기술 中 유출"…SK하이닉스 협력사 부사장 2심도 실형

서울고법 형사7부, 유출범에 징역 1년 6개월 선고

 

【 청년일보 】 SK하이닉스의 반도체 핵심 기술을 중국에 유출하고 삼성전자 자회사의 장비 도면을 빼돌린 혐의로 기소된 협력사 부사장이 2심에서도 실형을 선고받았다.

 

서울고법 형사7부(이재권 송미경 김슬기 부장판사)는 18일 산업기술보호법 위반·부정경쟁방지법 위반(영업비밀 국외누설 등) 등 혐의로 재판에 넘겨진 SK하이닉스 협력업체 부사장 A(60)씨에게 징역 1년 6개월을 선고했다. 앞서 1심은 징역 1년을 선고한 바 있다.

 

1심에서 징역형의 집행유예를 선고받은 연구소장 등 다른 직원 3명도 징역 1년∼1년 6개월의 실형으로 형이 늘었다. 협력사 법인은 1심의 벌금 4억원보다 많은 벌금 10억원을 선고받았다.

 

피고인들의 형이 늘어난 것은 SK하이닉스와 공동 개발한 기술 정보를 다른 업체에 알려준 혐의를 1심에선 무죄로 본 반면 항소심은 유죄로 판단했기 때문이다.

 

1심은 이 기술이 SK하이닉스와 협력사의 공동 소유물인 만큼 대외 발표만 금지된다고 판단했다.

 

하지만 2심은 "기술을 SK하이닉스의 경쟁업체 등 제3자에게 은밀하게 제공하려면 적어도 사전에 SK하이닉스의 동의를 얻었어야 했다"면서 "비밀유지 대상인 산업기술에 해당하고, 이를 유출한 것은 범죄"라고 밝혔다.

 

재판부는 "피고인들의 범행은 피해 회사뿐 아니라 우리나라 산업 전반에 큰 영향을 미쳤다"면서 "특히 부사장 A씨는 최종 결정권자로서 범행을 지휘하고 깊이 관여했다"고 질타했다.

 

A씨 등은 SK하이닉스와 협업하며 알게 된 HKMG 반도체 제조 기술과 세정 레시피 등 반도체 관련 핵심기술과 첨단기술, 영업비밀을 2018년께부터 중국 반도체 경쟁업체로 유출한 혐의를 받는다.

 

HKMG는 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 공정으로, D램 반도체의 속도를 높이면서도 소모 전력을 줄일 수 있는 신기술이다.

 


【 청년일보=이창현 기자 】

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