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'반도체 기술 中 유출 혐의' 前 삼성전자 연구원 구속영장 기각

20나노 D램 반도체 기술 공정도 700여개 무단 유출 혐의

 

【 청년일보 】 국내 반도체 핵심 기술을 중국 기업에 유출한 혐의를 받는 전직 삼성전자 수석연구원의 구속영장이 기각됐다.

 

이민수 서울중앙지법 영장전담 부장판사는 16일 부정경쟁방지법 위반 혐의를 받는 전직 삼성전자 수석연구원 50대 오 모 씨에 대해 "범행에 대해 사실·법리적 측면에서 다투고 있고 현재까지의 수사 진행 상황 등에 비춰볼 때 방어권을 보장해줄 필요가 있다"며 구속영장을 기각했다.

 

이 부장판사는 "별다른 범죄 전력이 없고 주거가 일정하며 수사기관의 수사·소환에 성실히 응해왔다"면서 "관련 증거들도 상당수 확보돼 피의자의 심문 태도 등을 감안할 때 구속의 필요성과 상당성이 인정된다고 보기 어렵다"고 덧붙였다.

 

경찰에 따르면 오 씨는 지난 2014년 삼성전자가 독자 개발한 20나노 D램 반도체 기술 공정도 700여개 등을 무단 유출해 중국 기업 '청두가오전'이 제품 개발에 사용하게 한 혐의를 받는다.

 

이날 구속 전 피의자 심문(영장실질심사)에서 경찰은 오 씨로부터 압수한 20나노의 상위 기술인 18나노 D램 공정 설계 자료 일부와 16나노 D램 개발 계획 서류를 재판부에 제출하며 사안이 중대하다고 강조했다.

 

오 씨 측은 혐의를 전면 부인하면서 기억에 의존해 작성한 초안이라고 반박했다.

 

경찰은 지난해 청두가오전 임원인 오씨의 집을 압수수색하는 과정에서 이 공정도를 발견해 수사해온 것으로 전해졌다.

 

'청두가오전'은 한국에서 삼성전자 임원, 하이닉스 부사장까지 지냈던 최 모 씨(66)가 지난 2021년 중국 청두시로부터 약 4천600억원을 투자받아 세운 회사인 것으로 알려졌다.

 


【 청년일보=이창현 기자 】

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