【 청년일보 】  SK하이닉스가 올해로 창립 41주년을 맞은 가운데 HBM(고대역폭메모리) 1등 리더십을 지키고 차세대 반도체 시장에서도 주도권을 확보하는 등 메모리 시장에서의 입지를 더욱 공고히 다지겠다는 포부를 밝혔다.

SK하이닉스는 10일 창립 41주년을 맞아, 자사 뉴스룸을 통해 그간의 혁신 제품에 담긴 역사와 기술력, 구성원들의 노력 등을 소개했다.

우선 1983년 반도체 사업을 시작한 SK하이닉스는 끊임없는 노력과 혁신을 통해 글로벌 No.1 AI 메모리 컴퍼니로 도약했다.

SK하이닉스 관계자는 "기술력으로 일군 40년을 갈무리하고 새로운 1년을 달린 올해, 회사는 1등 리더십을 공고히 하며 '40+1 르네상스 원년'을 만들어 가고 있다"면서 "그 배경에는 HBM, PIM(메모리 내 연산 처리), CXL(컴퓨트 익스프레스 링크) 등 첨단 공정과 패키징 기술이 집약된 AI 메모리가 자리 잡고 있다"고 밝혔다.  

그 중에서도 SK하이닉스는 차세대 메모리 기술 중 하나인 HBM의 성공 신화에 대해 소개했다. 'HBM 성공 신화'는 15년 전인 지난 2009년으로 거슬러 올라간다.

당시 회사는 TSV와 WLP 기술이 메모리 성능의 한계를 극복해 줄 것으로 판단하고 본격적인 개발에 착수했다. 그로부터 4년 뒤인 2013년에 이 기술을 기반으로 한 고대역폭 메모리, 1세대 HBM을 출시했다.

SK하이닉스에 따르면 해당 제품은 혁신적인 메모리로 주목받았지만, 시장의 폭발적인 반응을 얻지는 못했다. HBM이 널리 쓰일 만큼 고성능 컴퓨팅 시장이 무르익지 않았기 때문이라고 회사는 밝혔다.

그럼에도 회사는 후속 개발에 매진했고, 이 과정에서 회사는 열 방출과 생산성이 높은 MR-MUF 기술을 HBM2E에 적용해 시장 판도를 바꿨다.

이후 얇은 칩 적층, 열 방출, 생산성이 모두 탁월한 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 기술을 개발해 HBM3와 HBM3E에 적용했다. 이 기술을 바탕으로 지난해에는 HBM3 12단(24GB)을, 올해에는 HBM3E 12단(36GB) 양산까지 성공하며 '업계 최고 성능'이란 신기록을 잇달아 달성했다.

SK하이닉스 관계자는 "이 같은 성과의 배경에는 AI 붐이라는 시대 흐름을 절묘하게 포착한 전략이 있었다"면서 "AI 메모리를 적기에 출시하며 시장 요구를 완벽히 충족했고, 이는 단순한 우연이 아니었다"고 밝혔다. 

그러면서 "15년 간의 연구·개발을 통해 축적한 기술력과 이에 대한 전 구성원의 믿음, 미래를 내다본 전략적 투자가 있었기에 가능한 결과였다"고 덧붙였다.

끝으로 SK하이닉스는 다변화한 AI 서비스에 발맞춰 각 고객에 최적화된 맞춤형 AI 메모리를 개발하는 데 집중하고 있으며, 보다 앞선 기술로 차별화된 경쟁력을 확보, 미래 시장에서의 우위도 확보하겠다는 목표도 내세웠다.

【 청년일보=이창현 기자 】